EREMA硅碳棒在氧化气氛中使用会逐渐氧化生成二氧化硅,随之电阻逐渐增加导致硅碳棒老化,此外也
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EREMA硅碳棒在氧化气氛中使用会逐渐氧化生成二氧化硅,随之电阻逐渐增加导致硅碳棒老化,此外也 与材料老化性能有关。氧化反应方程式如下:SiC+202 — SiO2+CO2
EREMA硅碳棒在氧化气氛中使用会逐渐氧化生成二氧化硅,随之电阻逐渐增加导致硅碳棒老化,此外也 与材料老化性能有关。氧化反应方程式如下:SiC+202 — SiO2+CO2
碳化硅在空气中与氧气(02)反应,随着二氧化硅(SiO2)数量的增加,硅碳棒表面逐步氧化,引起 阻值增大。当温度达到800C时出现氧化反应,温度越高反应越快。这种氧化过程在硅碳棒的使用初期硅碳 棒表面未能形成致密的氧化膜,氧化反应较快,电阻增加尤为显著,随后反映的进行,当在硅碳棒表面形 成致密的氧化膜以后,进入电阻稳定区。之后跟着时间的增加,导电层慢慢地减少,绝缘层逐渐增加,硅碳 棒的内部产生局部过热,电阻快速增加。正常的情况下当阻值达到初始阻值的约3倍时,硅碳棒的寿命达到极 限(而螺旋棒却不同,)。这是因为当阻值增加到其3倍时,每根棒发热分布不 均匀,因此导致炉内温度分布不均匀。当硅碳棒寿命将尽时,不但阻值会增加而且会因气孔率的变化、强 度变化等原因发生断棒事件。
硅碳棒的寿命还因①使用温度②表面负荷密度③炉内处理物的气氛及材料④炉子运行方式
硅碳棒温度越高寿命越短。尤其是在炉膛温度超过1400C以后(SH和SL型,而螺旋棒在1600C),氧 化速度加快,硅碳棒的常规使用的寿命变短,所以请最好还是不要让硅碳棒表面温度过高,即有必要缩小炉膛温度与 硅碳棒温度之差。
实践证明:负荷密度大则发热体表面温度与炉膛温度之差也大。负荷密度大则棒体表面温度高,电阻增长 快,SIC棒的寿命短。因此,硅碳棒表面温度负荷密度、炉内气氛、温度与SIC棒老化速度成正比,与SIC 棒的寿命成反比。
图示的应用限制范围曲线为表面负荷密度临界线,真实的情况下请保持临界线的表面负荷。硅碳棒 的额定值在冷端部巳有标注,此额定电流是据日本JIS技术说明在空气中表面